BLF6G10S-45 datasheet
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>> BLF6G10S-45 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G10S-45
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G10S-45 PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
0.7 GHz to 1 GHz
增益
23 dB
输出功率
1 W
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
13 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-608B
封装
Tube
相关资料
属性
链接
代理商
BLF6G10S-45
BLF6G10S-45,112
BLF6G13L-250P
BLF6G13L-250P,112
BLF6G13LS-250P
BLF6G13LS-250P,112
供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129911934(手机优先微信同号)
史仙雁
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
北京京北通宇电子元件有限公司
13969210552
王女士
深圳市贸盛微电子有限公司
0755-82208752
周先生
天阳诚业科贸有限公司
17862669251
洪宝宇
深圳市禧创科技有限公司
13509620153
罗双
深圳市英科美电子有限公司
0755-23903058
张先生
BLF6G10S-45 参考价格
价格分段
单价(美元)
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